PHP45NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP45NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP45NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP45NQ10T даташит

 ..1. Size:110K  philips
phb45nq10t php45nq10t phw45nq10t 1.pdfpdf_icon

PHP45NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB45NQ10T, PHP45NQ10T PHW45NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 47 A g RDS(ON) 25 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor

 ..2. Size:859K  nxp
php45nq10t.pdfpdf_icon

PHP45NQ10T

PHP45NQ10T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 8 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featur

 6.1. Size:355K  philips
php45nq11t.pdfpdf_icon

PHP45NQ10T

PHP45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 19 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

 6.2. Size:85K  philips
php45nq15t.pdfpdf_icon

PHP45NQ10T

PHP/PHB45NQ15T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 8 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge. 1.3 Applications DC-to-DC

Другие IGBT... PHP20NQ20T, PHP225, PHP23NQ11T, PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, IRF830, PHP45NQ11T, PHP79NQ08LT, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT