PHP79NQ08LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP79NQ08LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP79NQ08LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP79NQ08LT даташит

 ..1. Size:213K  philips
 php79nq08lt.pdf pdf_icon

PHP79NQ08LT

PHP79NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 03 26 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features

 ..2. Size:331K  nxp
 php79nq08lt.pdf pdf_icon

PHP79NQ08LT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PHP23NQ11T, PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, PHP45NQ11T, IRF9640, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170, PMDPB65UP