PMG370XN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PMG370XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.96 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
Тип корпуса: TSSOP6
Аналог (замена) для PMG370XN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PMG370XN даташит
No data!
Другие IGBT... PMF280UN, PMF290XN, PMF370XN, PMF3800SN, PMF400UN, PMF780SN, PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, IRF540N, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772
