PMN35EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN35EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN35EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN35EN даташит

No data!

Другие IGBT... PMN25EN, PMN25UN, PMN27UN, PMN27UP, PMN28UN, PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, IRF9540, PMN38EN, PMN40LN, PMN45EN, PMN48XP, PMN49EN, PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN