PMR780SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMR780SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.92 Ohm

Тип корпуса: SC75

Аналог (замена) для PMR780SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMR780SN даташит

No data!

Другие IGBT... PMN45EN, PMN48XP, PMN49EN, PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, 4435, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN