PMV16UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV16UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV16UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV16UN даташит

 ..1. Size:362K  tysemi
 pmv16un.pdf pdf_icon

PMV16UN

Product specification PMV16UN 20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 4 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 9.1. Size:255K  nxp
 pmv16xn.pdf pdf_icon

PMV16UN

PMV16XN 20 V, N-channel Trench MOSFET 11 November 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power diss

 9.2. Size:1631K  nxp
 pmv160up.pdf pdf_icon

PMV16UN

PMV160UP 20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 2 6 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated Trench MOSFET technology Very fast

 9.3. Size:270K  nxp
 pmv164enea.pdf pdf_icon

PMV16UN

PMV164ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 7 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, AON7410, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP