Справочник MOSFET. PMV28UN

 

PMV28UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV28UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV28UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  tysemi
 pmv28un.pdf pdf_icon

PMV28UN

Product specificationPMV28UN20 V, 3.3 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 26 May 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET te

 0.1. Size:736K  nxp
 pmv28unea.pdf pdf_icon

PMV28UN

PMV28UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET10 March 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

 9.1. Size:263K  nxp
 pmv280enea.pdf pdf_icon

PMV28UN

PMV280ENEA100 V, N-channel Trench MOSFET11 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

 9.2. Size:261K  nxp
 pmv28enea.pdf pdf_icon

PMV28UN

PMV28ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET9 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , AON7506 , PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN , PMV48XP .

 

 
Back to Top

 


 
.