PMV30XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV30XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV30XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV30XN даташит

 ..1. Size:311K  tysemi
 pmv30xn.pdf pdf_icon

PMV30XN

Product specification PMV30XN 20 V, 3.2 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 22 June 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 8.1. Size:716K  nxp
 pmv30xpea.pdf pdf_icon

PMV30XN

PMV30XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 30 October 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability Ptot =

 8.2. Size:280K  nxp
 pmv30xpa.pdf pdf_icon

PMV30XN

PMV30XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 28 April 2020 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ve

 9.1. Size:238K  philips
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30XN

PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed switches. 1.4 Qui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, IRF530, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN