PMZ760SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ760SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: SOT883

Аналог (замена) для PMZ760SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ760SN даташит

No data!

Другие IGBT... PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP, PMZ1000UN, PMZ250UN, PMZ270XN, PMZ350XN, PMZ390UN, RFP50N06, PSMN004-60B, PSMN005-30K, PSMN005-75B, PSMN006-20K, PSMN008-75B, PSMN009-100B, PSMN009-100P, PSMN011-30YL