Справочник MOSFET. PSMN005-75B

 

PSMN005-75B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSMN005-75B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMN005-75B Datasheet (PDF)

 4.1. Size:271K  philips
 psmn005-75p psmn005 75p 75b.pdf pdf_icon

PSMN005-75B

PSMN005-75P/75BN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 26 April 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PSMN005-75P in SOT78 (TO-220AB)PSMN005-75B in SOT404 (D2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. Applications Hi

 4.2. Size:682K  nxp
 psmn005-75p.pdf pdf_icon

PSMN005-75B

PSMN005-75PN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETRev. 01 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial ap

 6.1. Size:120K  philips
 psmn005-55b p hg.pdf pdf_icon

PSMN005-75B

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPSMN005-55B; PSMN005-55PN-channel logic levelTrenchMOS(TM) transistorProduct specification October 1999Philips Semiconductors Product specificationPSMN005-55B;N-channel logic level TrenchMOS(TM) transistor PSMN005-55PFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Very low on-state resistance Fast swit

 6.2. Size:148K  philips
 psmn005-25d.pdf pdf_icon

PSMN005-75B

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPSMN005-25DN-channel logic levelTrenchMOS(TM) transistorProduct specification October 1999Philips Semiconductors Product specificationN-channel logic level TrenchMOS(TM) transistor PSMN005-25DFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Logic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.