APT1002RAN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APT1002RAN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APT1002RAN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1002RAN даташит

 6.1. Size:81K  apt
 apt1002r4bnr apt1002rbnr.pdf pdf_icon

APT1002RAN

 6.2. Size:49K  apt
 apt1002rcn.pdf pdf_icon

APT1002RAN

D TO-254 G APT1002RCN 1000V 5.5A 2.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1002RCN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 5.5 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 22 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Powe

 6.3. Size:50K  apt
 apt1002r4bn.pdf pdf_icon

APT1002RAN

D TO-247 G APT1002RBN 1000V 7.0A 2.00 S APT1002R4BN 1000V 6.5A 2.40 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 1002RBN 1002R4BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 7.0 6.5 Amps IDM Pulsed Drain Current 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT1001RSVR, APT10025JVFR, APT10025JVR, APT10025PVR, APT10026JN, APT1002R4AN, APT1002R4BN, APT1002R4CN, P55NF06, APT1002RBN, APT1002RCN, APT1003R5AN, APT1003R5BN, APT1003R5CN, APT1003R5GN, APT10043JVR, APT1004R2AN