STB11NM60FD
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB11NM60FD
Маркировка: B11NM60FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 11
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 28
nC
trⓘ -
Время нарастания: 16
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45
Ohm
Тип корпуса:
D2PAK
Аналог (замена) для STB11NM60FD
STB11NM60FD
Datasheet (PDF)
..1. Size:493K st
stb11nm60fd stb11nm60fd-1 stp11nm60fd stp11nm60fdfp.pdf 
STB11NM60FD - STB11NM60FD-1STP11NM60FD - STP11NM60FDFPN-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID32 3STB11NM60FD 600V
..2. Size:203K inchange semiconductor
stb11nm60fd.pdf 
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB11NM60FDFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
0.1. Size:486K st
stb11nm60fd-1 stb11nm60fdt4 stp11nm60fdfp.pdf 
STB11NM60FD - STB11NM60FD-1STP11NM60FD - STP11NM60FDFPN-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID32 3STB11NM60FD 600V
5.1. Size:624K st
stb11nm60t4 stp11nm60.pdf 
STB11NM60T4, STP11NM60DatasheetN-channel 600 V, 0.4 typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packagesFeaturesVDSSTABRDS(on) max. IDTAB Order codes Package(@ TJmax)STB11NM60T4 DPAK3650 V 0.45 11 A132 STP11NM60 TO-220D PAK TO-220 21 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceD(2
5.3. Size:632K st
stb11nm60n-1 std11nm60n-1 std11nm60n stf11nm60n stf11nm60n stp11nm60n.pdf 
STx11NM60NN-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) 3Type ID 323(@TJmax) max12 11STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 ADPAKTO-220IPAKSTB11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N-1 650 V 0.45 10 ASTF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1)STP11NM60N 650 V 0.45
5.4. Size:632K st
stp11nm60n stb11nm60n std11nm60n stf11nm60n.pdf 
STx11NM60NN-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) 3Type ID 323(@TJmax) max12 11STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 ADPAKTO-220IPAKSTB11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N-1 650 V 0.45 10 ASTF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1)STP11NM60N 650 V 0.45
5.5. Size:635K st
stp11nm60n stf11nm60n std11nm60n stb11nm60n.pdf 
STx11NM60NN-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) 3Type ID 323(@TJmax) max12 11STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 ADPAKTO-220IPAKSTB11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N-1 650 V 0.45 10 ASTF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1)STP11NM60N 650 V 0.45
5.6. Size:360K st
stb11nm60-1 stb11nm60t4 stp11nm60fp.pdf 
STP11NM60 - STP11NM60FPSTB11NM60 - STB11NM60-1N-channel 650V @ TJmax - 0.4 - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSSType RDS(on) ID(@TJ=TJmax)332211STP11NM60 650V
5.7. Size:367K st
stp11nm60 stp11nm60fp stb11nm60 stb11nm60-1.pdf 
STP11NM60 - STP11NM60FPSTB11NM60 - STB11NM60-1N-channel 650V @ TJmax - 0.4 - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSSType RDS(on) ID(@TJ=TJmax)332211STP11NM60 650V
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
