STB13NM60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB13NM60N
Маркировка: 13NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB13NM60N
STB13NM60N Datasheet (PDF)
stb13nm60n std13nm60n.pdf
STB13NM60N, STD13NM60NN-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeatures Order code VDS (@Tjmax) RDS(on) max IDSTB13NM60NTAB650 V 0.36 11 ATABSTD13NM60N3 100% avalanche tested31 1 Low input capacitance and gate chargeDPAKDPAK Low gate input resistanceApplications
stb13nm60n std13nm60n stf13nm60n stp13nm60n stw13nm60n.pdf
STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60NSTP13NM60N,STW13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3322STB13NM60N 650 V
stb13nm50n-1 stb13nm50n stf13nm50n stp13nm50n stw13nm50n.pdf
STB13NM50N/-1 - STF13NM50NSTP13NM50N - STW13NM50NN-channel 500 V - 0.250 - 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB13NM50N 550 V 0.32 12 ATO-220 IPAKSTB13NM50N-1 550 V 0.32 12 ASTF13NM50N 550 V 0.32 12 A(1) 321STP13NM50N 550 V 0.32 12 ATO-247STW13N
stb13nm50n stf13nm50n stp13nm50n stw13nm50n.pdf
STB13NM50N/-1 - STF13NM50NSTP13NM50N - STW13NM50NN-channel 500 V - 0.250 - 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB13NM50N 550 V 0.32 12 ATO-220 IPAKSTB13NM50N-1 550 V 0.32 12 ASTF13NM50N 550 V 0.32 12 A(1) 321STP13NM50N 550 V 0.32 12 ATO-247STW13N
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdf
STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdf
STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13n60m2 std13n60m2.pdf
STB13N60M2, STD13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTB13N60M2TAB650 V 0.38 11 ASTD13N60M2TAB33 Extremely low gate charge11 Lower RDS(on) x area vs previous generationDPAKD2PAK Low gate input resistance
stb13n80k5 stf13n80k5 stp13n80k5 stw13n80k5.pdf
STB13N80K5, STF13N80K5, STP13N80K5, STW13N80K5N-channel 800 V, 0.37 typ., 12 A SuperMESH 5 PowerMOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on) ID PTOT31STB13N80K5 190 W3D2PAK21STF13N80K5 35 WTO-220FP800 V 0.45 12 ATABSTP13N80K5190 WSTW13N80K5 Worldwide best FOM (figur
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918