STB14NM50N - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STB14NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB14NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB14NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB14NM50N даташит

..1. Size:1281K st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf pdf_icon

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

..2. Size:1066K st
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf pdf_icon

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

7.1. Size:548K st
sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf pdf_icon

STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@TJmax) max 3 2 3 1 2 STI14NM65N 710 V

7.2. Size:546K st
stb14nm65n stb14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stw14nm65n.pdf pdf_icon