STB200N6F3 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STB200N6F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STB200N6F3
   Маркировка: 200N6F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 101 nC
   Время нарастания (tr): 75 ns
   Выходная емкость (Cd): 1295 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB200N6F3

STB200N6F3 Datasheet (PDF)

..1. Size:854K st
stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf

STB200N6F3, STI200N6F3STP200N6F3N-channel 60 V, 3 m, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB200N6F3 60 V

7.1. Size:404K st
stp200nf04 stb200nf04 stb200nf04-1.pdf

STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

7.2. Size:354K st
stp200nf04l stb200nf04l stb200nf04l-1.pdf

STP200NF04LSTB200NF04L - STB200NF04L-1N-CHANNEL 40V - 3 m - 120 A TO-220/DPAK/IPAKSTripFET II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTB200NF04L 40 V 3.5 m 120 ASTP200NF04L 40 V 3.8 m 120 ASTB200NF04L-1 40 V 3.8 m 120 A TYPICAL RDS(on) = 3m 33211 100% AVALANCHE TESTEDTO-220DPAK LOW THERESHOLD DRIVEDESCRIPT

7.3. Size:401K st
stb200nf04-1 stb200nf04t4.pdf

STP200NF04STB200NF04 - STB200NF04-1N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 m TO-220/DPAK/IPAKSTripFETII MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageType VDSS RDS(on) ID PwSTB200NF04 40 V

7.4. Size:407K st
stb200n4f3 stp200n4f3.pdf

STP200N4F3STB200N4F3N-channel 40 V, 0.0025 , 120 A, D2PAK, TO-220planar STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID PwSTB200N4F3 40 V

7.5. Size:447K st
stb200nf03-1 stb200nf03t4 stp200nf03 stb200nf03 stb200nf03-1.pdf

STP200NF03STB200NF03 - STB200NF03-1N-channel 30V - 0.0032 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP200NF03 30V

7.6. Size:332K st
stb200n04.pdf