Справочник MOSFET. STB20NM50FD

 

STB20NM50FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB20NM50FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NM50FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  st
 stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

 ..2. Size:287K  st
 stb20nm50fd.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50FDN-CHANNEL 500V - 0.20 - 20A D2PAKFDmeshPower MOSFET (With FAST DIODE)PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB20NM50FD 500V

 0.1. Size:396K  st
 stb20nm50fdt4.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

 5.1. Size:313K  st
 stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HSM6901 | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.