STB20NM50FD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB20NM50FD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB20NM50FD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NM50FD даташит

 ..1. Size:401K  st
 stb20nm50fd stf20nm50fd stp20nm50fd.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50FD STF20NM50FD - STP20NM50FD N-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg ID max STB20NM50FD 500 V

 ..2. Size:287K  st
 stb20nm50fd.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50FD N-CHANNEL 500V - 0.20 - 20A D2PAK FDmesh Power MOSFET (With FAST DIODE) PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB20NM50FD 500V

 0.1. Size:396K  st
 stb20nm50fdt4.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50FD STF20NM50FD - STP20NM50FD N-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg ID max STB20NM50FD 500 V

 5.1. Size:313K  st
 stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf pdf_icon

STB20NM50FD

STB20NM50 - STB20NM50-1 STP20NM50 - STP20NM50FP N-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@TJmax) 3 3 2 STB20NM50 550V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB18NF25, STB18NM60N, STB18NM80, STB190NF04, STB19NF20, STB200N4F3, STB200N6F3, STB200NF03, STF13NM60N, STB20NM60, STB20NM60D, STB21N65M5, STB21NK50Z, STB21NM60ND, STB22NM60N, STB22NS25Z, STB230NH03L