Справочник MOSFET. STB20NM60D

 

STB20NM60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB20NM60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB20NM60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB20NM60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  st
 stb20nm60d.pdf pdf_icon

STB20NM60D

STB20NM60DN-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAKFDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTB20NM60D 600V

 5.1. Size:442K  st
 stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf pdf_icon

STB20NM60D

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V

 5.2. Size:309K  st
 stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf pdf_icon

STB20NM60D

STB20NM60A-1STP20NM60A - STF20NM60AN-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A IPAK/TO-220/TO-220FPMDmesh MOSFETTYPE VDSS @Tjmax RDS(on) IDSTB20NM60A-1 650 V

 5.3. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60D

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STB18NM80 , STB190NF04 , STB19NF20 , STB200N4F3 , STB200N6F3 , STB200NF03 , STB20NM50FD , STB20NM60 , IRF830 , STB21N65M5 , STB21NK50Z , STB21NM60ND , STB22NM60N , STB22NS25Z , STB230NH03L , STB23NM50N , STB23NM60ND .

 

 
Back to Top

 


 
.