STB21NM60ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB21NM60ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB21NM60ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB21NM60ND даташит

 ..1. Size:553K  st
stp21nm60nd stf21nm60nd stb21nm60nd sti21nm60nd stw21nm60nd.pdfpdf_icon

STB21NM60ND

STP/F21NM60ND-STW21NM60ND STB21NM60ND-STI21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 1 3 2 2 1 STB21NM60ND 650 V

 ..2. Size:1389K  st
stb21nm60nd stf21nm60nd stp21nm60nd stw21nm60nd.pdfpdf_icon

STB21NM60ND

STB21NM60ND, STF21NM60ND, STP21NM60ND, STW21NM60ND N-channel 600 V, 0.17 typ., 17 A FDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max 3 3 1 2 1 STB21NM60ND 650 V 0.22 17 A D2PAK TO-220FP STF21NM60ND 650 V 0.22 17 A STP21NM60ND 650 V 0.22 17 A TAB STW21NM60N

 ..3. Size:203K  inchange semiconductor
stb21nm60nd.pdfpdf_icon

STB21NM60ND

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STB21NM60ND FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

 4.1. Size:561K  st
stp21nm60n stf21nm60n stb21nm60n stb21nm60n-1 stw21nm60n.pdfpdf_icon

STB21NM60ND

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N-STB21NM60N-1 N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 3 2 1 2 1 STB21NM60N 650 V

Другие IGBT... STB200N4F3, STB200N6F3, STB200NF03, STB20NM50FD, STB20NM60, STB20NM60D, STB21N65M5, STB21NK50Z, 75N75, STB22NM60N, STB22NS25Z, STB230NH03L, STB23NM50N, STB23NM60ND, STB24NM60N, STB24NM65N, STB25NM50N