STB40NF20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB40NF20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB40NF20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40NF20 даташит

 ..1. Size:477K  st
 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40NF20

STP40NF20 - STF40NF20 STB40NF20 - STW40NF20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40NF20 200V

 ..2. Size:484K  st
 stb40nf20 stf40nf20 stp40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40NF20

STP40NF20 - STF40NF20 STB40NF20 - STW40NF20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40NF20 200V

 7.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF20

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 7.2. Size:403K  st
 stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF20

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB35N65M5, STB35NF10, STB36NF06L, STB36NM60N, STB3N62K3, STB3NK60Z, STB40NF10, STB40NF10L, IRF540, STB40NS15, STB42N65M5, STB45NF06, STB4N62K3, STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STB50N25M5, STB50NF25