Справочник MOSFET. STB6N52K3

 

STB6N52K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB6N52K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB6N52K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1153K  st
stb6n52k3 std6n52k3 stf6n52k3 stp6n52k3.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STB6N52K3, STD6N52K3STF6N52K3, STP6N52K3N-channel 525 V, 1 , 5 A, DPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Order codes VDSS ID Pwmax132STB6N52K3 5 A 70 WDPAK1STD6N52K3 5 A(1) 25 WTO-220FP525 V

 9.1. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

 9.2. Size:130K  st
stb6na60.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STB6NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on ) DSTB6NA60 600 V

 9.3. Size:692K  st
stb6nm60n std6nm60n-1 std6nm60n stf6nm60n stp6nm60n.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STx6NM60NN-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33STB6NM60N 650 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.