STB6N52K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB6N52K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB6N52K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB6N52K3 даташит

 ..1. Size:1153K  st
stb6n52k3 std6n52k3 stf6n52k3 stp6n52k3.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STB6N52K3, STD6N52K3 STF6N52K3, STP6N52K3 N-channel 525 V, 1 , 5 A, D PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET Features RDS(on) 3 Order codes VDSS ID Pw max 1 3 2 STB6N52K3 5 A 70 W DPAK 1 STD6N52K3 5 A(1) 25 W TO-220FP 525 V

 9.1. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

 9.2. Size:130K  st
stb6na60.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STB6NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on ) D STB6NA60 600 V

 9.3. Size:692K  st
stb6nm60n std6nm60n-1 std6nm60n stf6nm60n stp6nm60n.pdfpdf_icon

STB6N52K3

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

Другие IGBT... STB55NF06L, STB5N52K3, STB5N62K3, STB5NK50Z, STB60N55F3, STB60NF06, STB60NF06L, STB60NF10, 7N65, STB6NK60Z, STB6NK60Z-1, STB6NK90Z, STB70NF03L, STB70NF03L-1, STB70NF3LL, STB70NFS03L, STB75NF20