Справочник MOSFET. STB80N20M5

 

STB80N20M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB80N20M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB80N20M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80N20M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  st
stb80n20m5 stp80n20m5.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80N20M5STP80N20M5N-channel 200 V, 0.019 , 61 A, TO-220, D2PAKMDmesh V Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax maxSTB80N20M5 61 A200 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

 8.2. Size:399K  st
stb80nf55l-06 stp80nf55l-06.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80NF55L-06STP80NF55L-06N-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A DPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB80NF55L-06 55 V

 8.3. Size:579K  st
stb80nf10 stp80nf10.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80NF10STP80NF10N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF10 100 V

Другие MOSFET... STB70NFS03L , STB75NF20 , STB75NF75 , STB75NF75L , STB76NF75 , STB7N52K3 , STB7NK80Z , STB7NK80Z-1 , AON7410 , STB80NF03L-04 , STB80NF03L-04T4 , STB80NF10 , STB80NF55-08T4 , STB80NF55L-06 , STB80NF55L-08-1 , STB80PF55 , STB85NF3LL .

History: STI42N65M5 | BRP50N20 | SSF65R120S2 | IRFR6215 | WMK15N65C2 | SI6413DQ | D7509

 

 
Back to Top

 


 
.