STB80N20M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80N20M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB80N20M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80N20M5 даташит

 ..1. Size:932K  st
stb80n20m5 stp80n20m5.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80N20M5 STP80N20M5 N-channel 200 V, 0.019 , 61 A, TO-220, D2PAK MDmesh V Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max STB80N20M5 61 A 200 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 8.2. Size:399K  st
stb80nf55l-06 stp80nf55l-06.pdfpdf_icon

STB80N20M5

 8.3. Size:579K  st
stb80nf10 stp80nf10.pdfpdf_icon

STB80N20M5

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

Другие IGBT... STB70NFS03L, STB75NF20, STB75NF75, STB75NF75L, STB76NF75, STB7N52K3, STB7NK80Z, STB7NK80Z-1, SPP20N60C3, STB80NF03L-04, STB80NF03L-04T4, STB80NF10, STB80NF55-08T4, STB80NF55L-06, STB80NF55L-08-1, STB80PF55, STB85NF3LL