APT1004RBN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT1004RBN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
APT1004RBN Datasheet (PDF)
apt1004rgn.pdf

DTO-257GAPT1004RGN 1000V 3.3A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RGN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.3AmpsIDM Pulsed Drain Current 113.2VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
apt1004rcn.pdf

DTO-254GAPT1004RCN 1000V 3.6A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.6AmpsIDM Pulsed Drain Current 114.4VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
apt1004r2bn.pdf

DTO-247GAPT1004RBN 1000V 4.4A 4.00SAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1004RBN 1004R2BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C4.4 4.0AmpsIDM Pulsed Drain Current 1
Другие MOSFET... APT1003R5CN , APT1003R5GN , APT10043JVR , APT1004R2AN , APT1004R2BN , APT1004R2CN , APT1004R2GN , APT1004RAN , IRFB3607 , APT1004RCN , APT1004RGN , APT1004RKN , APT10050B2VR , APT10050JN , APT10050JVFR , APT10050JVR , APT10050LVFR .
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06