STD10NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD10NM60ND
Маркировка: 10NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 32.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD10NM60ND
STD10NM60ND Datasheet (PDF)
std10nm60nd stf10nm60nd stp10nm60nd.pdf
STD10NM60ND, STF10NM60ND, STP10NM60ND N-channel 600 V, 0.57 typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. jmax.STD10NM60ND 70 W STF10NM60ND 650 V 0.60 8 A 25 W STP10NM60ND 70 W Fast-recovery body diode Low gate charge and input capacitance
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf
STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdf
STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V
std10nm60n stf10nm60n sti10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf
STD10NM60N, STF10NM60N,STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.313STD10NM60N 70 W 3221DPAK 1STF10NM60N 25 WIPAKTO-220FPSTI10NM60N 650 V
std10nm60n.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STD10NM60NFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие MOSFET... STB9NK60Z , STB9NK60ZD , STB9NK70Z-1 , STB9NK90Z , STD100N3LF3 , STD10NF10 , STD10NM50N , STD10NM60N , NCEP8818AS , STD10NM65N , STD10PF06 , STD11NM50N , STD11NM60ND , STD120N4F6 , STD120N4LF6 , STD12N65M5 , STD12NF06 .
