Справочник MOSFET. APT10050JN

 

APT10050JN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT10050JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 235 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 710 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для APT10050JN

 

 

APT10050JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  apt
 apt10050jn.pdf

APT10050JN APT10050JN

DGAPT10050JN 1000V 20.5A 0.50SISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)POWER MOS IVSINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APTSymbol Parameter 10050JN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C20.5AmpsIDM, lLM

 5.1. Size:39K  apt
 apt10050jlc.pdf

APT10050JN APT10050JN

APT10050JLC1000V 19A 0.500TMPOWER MOS VIPower MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltageN-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge isachieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss.Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout,"UL Recognized"delivers exceptionally fast s

 5.2. Size:71K  apt
 apt10050jvfr.pdf

APT10050JN APT10050JN

APT10050JVFR1000V 19A 0.500POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Fast Recovery Body Diode

 5.3. Size:68K  apt
 apt10050jvr.pdf

APT10050JN APT10050JN

APT10050JVR1000V 19A 0.500POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

Другие MOSFET... APT1004R2CN , APT1004R2GN , APT1004RAN , APT1004RBN , APT1004RCN , APT1004RGN , APT1004RKN , APT10050B2VR , NCES120R062T4 , APT10050JVFR , APT10050JVR , APT10050LVFR , APT10050LVR , APT10057WVR , APT10086BVFR , APT10086BVR , APT10086SVR .

 

 
Back to Top