Справочник MOSFET. STD35NF06

 

STD35NF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD35NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 300 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD35NF06

 

 

STD35NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  st
 std35nf06.pdf

STD35NF06 STD35NF06

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

 0.1. Size:646K  st
 std35nf06lt4.pdf

STD35NF06 STD35NF06

STD35NF06LN-channel 60 V, 0.014 , 35 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) IDTABSTD35NF06LT4 60V

 0.2. Size:313K  st
 std35nf06t4.pdf

STD35NF06 STD35NF06

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

 0.3. Size:325K  st
 std35nf06l.pdf

STD35NF06 STD35NF06

STD35NF06LN-channel 60V - 0.014 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06L 60V

 0.4. Size:1468K  cn vbsemi
 std35nf06lt4.pdf

STD35NF06 STD35NF06

STD35NF06LT4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

 0.5. Size:771K  cn vbsemi
 std35nf06t4.pdf

STD35NF06 STD35NF06

STD35NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top