STD3NM60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD3NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
STD3NM60 Datasheet (PDF)
std3nm60 std3nm60-1 stp4nm60.pdf
STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650
std3nm60t4.pdf
STP4NM60STD3NM60, STD3NM60-1N-channel 600 V, 1.3 , 3 A TO-220, DPAK, IPAKZener-protected MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on)Type ID PW(@Tjmax) max31STD3NM60323 A 42 WDPAK1STD3NM60-1 650
std3nm60n.pdf
STD3NM60NN-channel 600 V, 1.6 , 3.3 A, MDmesh II Power MOSFET in DPAK packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax max.STD3NM60N 650 V
std3nm50 std3nm50t4.pdf
STD3NM50STD3NM50-1N-CHANNEL 550V @ Tjmax- 2.5 - 3A DPAK/IPAKZener-Protected MDmesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STD3NM50 550V
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918