Справочник MOSFET. STD60N55F3

 

STD60N55F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD60N55F3
   Маркировка: 60N55F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD60N55F3

 

 

STD60N55F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  st
 stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3N-channel 55 V, 6.5 m, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220TO-220FP STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw332131STB60N55F3 55V

 8.1. Size:327K  st
 std60nf55la.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF55LAN-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55LA 55V

 8.2. Size:403K  st
 std60nf3ll std60nf3llt4.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF3LLN-channel 30V - 0.0075 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF3LL 60V

 8.3. Size:747K  st
 std60n3lh5 stp60n3lh5 stu60n3lh5 stu60n3lh5-s stu60n3lh5-s.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60N3LH5, STP60N3LH5STU60N3LH5, STU60N3LH5-SN-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, Short IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max ID3STD60N3LH5 30 V 0.008 48 A 213STP60N3LH5 30 V 0.0084 48 A 21IPAKTO-220STU60N3LH5 30 V 0.0084 48 ASTU60N3LH5-S 30 V 0.0084 48 A RDS(on) * Qg industry benchmark32 Extr

 8.4. Size:540K  st
 std60nh03l std60nh03l-1.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NH03LSTD60NH03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NH03L-1 30V

 8.5. Size:407K  st
 std60nf06t4.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF06 60V

 8.6. Size:438K  st
 std60nf55l-1.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF55LSTD60NF55L-1N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L-1 55V

 8.7. Size:386K  st
 std60n3lh5 stp60n3lh5 stu60n3lh5.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60N3LH5STP60N3LH5, STU60N3LH5N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD60N3LH5 30 V 0.008 48 A 32STP60N3LH5 30 V 0.0084 48 A1STU60N3LH5 30 V 0.0084 48 ATO-220 RDS(on) * Qg industry benchmark3 Extremely low on-resistance RDS(on) 3211 Very low switching gate charge

 8.8. Size:414K  st
 std60nf06.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF06 60V

 8.9. Size:455K  st
 std60nf55l.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF55LN-CHANNEL 55V - 0.012 - 60A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L 55V

 8.10. Size:428K  st
 std60nf55lt4.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF55LSTD60NF55L-1N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55L-1 55V

 8.11. Size:535K  st
 std60nh03l-1 std60nh03lt4.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NH03LSTD60NH03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NH03L-1 30V

 8.12. Size:1440K  cn vbsemi
 std60nf3l.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF3Lwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL

 8.13. Size:825K  cn vbsemi
 std60nf06t4.pdf

STD60N55F3 STD60N55F3

STD60NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top