STD6NF10 - описание и поиск аналогов

 

STD6NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD6NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD6NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD6NF10 даташит

 ..1. Size:327K  st
std6nf10 stu6nf10.pdfpdf_icon

STD6NF10

STD6NF10 STU6NF10 N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD6NF10 100 V

 ..2. Size:266K  st
std6nf10.pdfpdf_icon

STD6NF10

STD6NF10 N-CHANNEL 100V - 0.22 - 6A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD6NF10 100 V

 0.1. Size:325K  st
std6nf10t4.pdfpdf_icon

STD6NF10

STD6NF10 STU6NF10 N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD6NF10 100 V

 9.1. Size:344K  1
std6n10 std6n10-1 std6n10t4.pdfpdf_icon

STD6NF10

STD6N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD6N10 100 V

Другие MOSFET... STD60NF55LA , STD65N3LLH5 , STD65N55F3 , STD65N55LF3 , STD65NF06 , STD6N52K3 , STD6N62K3 , STD6N95K5 , AO3400A , STD6NK50Z , STD70N10F4 , STD70N2LH5 , STD70N6F3 , STD70NS04ZL , STD75N3LLH6 , STD7N52DK3 , STD7N52K3 .

History: AOC3860C | D2N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.