Справочник MOSFET. STF10NM50N

 

STF10NM50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STF10NM50N
   Маркировка: 10NM50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для STF10NM50N

 

 

STF10NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  st
std10nm50n stf10nm50n stp10nm50n.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

STD10NM50NSTF10NM50N, STP10NM50NN-channel 500 V, 0.53 , 7 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33221STD10NM50N1TO-220FP TO-220STF10NM50N 550 V

 7.1. Size:901K  st
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V

 7.2. Size:997K  st
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V

 7.3. Size:1072K  st
std10nm60n stf10nm60n sti10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

STD10NM60N, STF10NM60N,STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.313STD10NM60N 70 W 3221DPAK 1STF10NM60N 25 WIPAKTO-220FPSTI10NM60N 650 V

 7.4. Size:525K  st
std10nm65n stf10nm65n stp10nm65n stu10nm65n.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

STD10NM65N - STF10NM65NSTP10NM65N - STU10NM65NN-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2312STD10NM65N 710 V

 7.5. Size:1129K  st
std10nm60nd stf10nm60nd stp10nm60nd.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

STD10NM60ND, STF10NM60ND, STP10NM60ND N-channel 600 V, 0.57 typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. jmax.STD10NM60ND 70 W STF10NM60ND 650 V 0.60 8 A 25 W STP10NM60ND 70 W Fast-recovery body diode Low gate charge and input capacitance

 7.6. Size:247K  inchange semiconductor
stf10nm60nd.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

isc N-Channel MOSFET Transistor STF10NM60NDFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.6 (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONReliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 7.7. Size:201K  inchange semiconductor
stf10nm65n.pdf

STF10NM50N
STF10NM50N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STF10NM65NFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top