STF11N52K3 - описание и поиск аналогов

 

STF11N52K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF11N52K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для STF11N52K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF11N52K3 даташит

 ..1. Size:1155K  st
stb11n52k3 stf11n52k3 stp11n52k3.pdfpdf_icon

STF11N52K3

STB11N52K3, STF11N52K3 STP11N52K3 N-channel 525 V, 0.41 , 10 A SuperMESH3 Power MOSFET in D PAK,TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDSS max. ID Pw STB11N52K3 125 W 3 3 2 2 1 1 STF11N52K3 525 V

 7.1. Size:986K  st
std11n50m2 stf11n50m2 stf11n50m2.pdfpdf_icon

STF11N52K3

STD11N50M2, STF11N50M2 N-channel 500 V, 0.45 typ,8 A, MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK and TO-220FP packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STD11N50M2 550 V 0.53 8 A STF11N50M2 TAB Extremely low gate charge 3 1 Lower RDS(on) x area vs previous generation 3 DPAK 2 Low gate input resistance 1

 7.2. Size:760K  st
std11n50m2 stf11n50m2.pdfpdf_icon

STF11N52K3

STD11N50M2, STF11N50M2 Datasheet N-channel 500 V, 0.45 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK and TO-220FP packages Features VDS @ TJmax RDS(on)max. ID Order code Package TAB STD11N50M2 DPAK 3 550 V 0.53 8 A 2 STF11N50M2 TO-220FP 1 3 2 1 Extremely low gate charge DPAK TO-220FP Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zen

 8.1. Size:943K  st
stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdfpdf_icon

STF11N52K3

STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80 N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg ID max 3 1 3 STB11NM80 2 D PAK 1 STF11NM80 TO-247 800 V

Другие MOSFET... STE70NM60 , STF10N62K3 , STF10N65K3 , STF10NK50Z , STF10NM50N , STF10NM60N , STF10NM60ND , STF10NM65N , P55NF06 , STF11N65K3 , STF11NM50N , STF11NM60ND , STF11NM80 , STF120NF10 , STF12N50U , STF12N65M5 , STF12NK60Z .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.