APT10M19BVFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT10M19BVFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT10M19BVFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT10M19BVFR даташит

 ..1. Size:74K  apt
 apt10m19bvfr.pdf pdf_icon

APT10M19BVFR

APT10M19BVFR 100V 75A 0.019 POWER MOS V FREDFET TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avala

 0.1. Size:117K  apt
 apt10m19bvfrg apt10m19svfr apt10m19svfrg.pdf pdf_icon

APT10M19BVFR

APT10M19BVFR APT10M19SVFR 100V 75A 0.019 BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. SV

 4.1. Size:67K  apt
 apt10m19bvr.pdf pdf_icon

APT10M19BVFR

APT10M19BVR 100V 75A 0.019 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

 4.2. Size:47K  apt
 apt10m19bvrg.pdf pdf_icon

APT10M19BVFR

APT10M19BVR 100V 75A 0.019 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT10086BVFR, APT10086BVR, APT10086SVR, APT10088HVR, APT10M07JVR, APT10M11B2VR, APT10M11JVR, APT10M11LVR, 2N60, APT10M19BVR, APT10M19SVR, APT10M25BVFR, APT10M25BVR, APT10M25SVR, APT1201R5BVR, APT1201R6BVR, APT12040JVR