STF3NK100Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF3NK100Z
Маркировка: F3NK100Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STF3NK100Z
STF3NK100Z Datasheet (PDF)
stf3nk100z std3nk100z stp3nk100z.pdf
STF3NK100Z - STD3NK100ZSTP3NK100ZN-channel 1000V - 5.4 - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS ID PTOTTypeMaxSTF3NK100Z 1000V
stf3nk100z stp3nk100z std3nk100z.pdf
STF3NK100Z - STD3NK100ZSTP3NK100ZN-channel 1000V - 5.4 - 2.5A - TO-220 - TO-220FP - DPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) VDSS ID PTOTTypeMaxSTF3NK100Z 1000V
std3nk100z stf3nk100z.pdf
STD3NK100Z, STF3NK100ZDatasheetN-channel 1000 V, 5.4 typ., 2.5 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK and TO-220FP packagesFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSTD3NK100Z DPAK1000 V 6 2.5 ASTF3NK100Z TO-220FP Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Gate charge minimizedD(2, TAB) Very low intrinsic capacitance Zener-protected
std3nk80z std3nk80z-1 stf3nk80z stp3nk80z.pdf
STD3NK80Z, STD3NK80Z-1STF3NK80Z, STP3NK80ZN-channel 800 V, 3.8 , 2.5 A, TO-220, TO-220FP, DPAK, IPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP3NK80Z 800 V
std3nk80z-1 std3nk80zt4 stf3nk80z stp3nk80z.pdf
STD3NK80Z-1, STD3NK80ZT4, STF3NK80Z, STP3NK80Z N-channel 800 V, 3.8 typ., 2.5 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R I DS DS(on) max. DSTD3NK80Z-1 800 V 4.5 2.5 A STD3NK80ZT4 800 V 4.5 2.5 A STF3NK80Z 800 V 4.5 2.5 A STP3NK80Z 800 V 4.5 2.5 A Extremely high dv/dt capabil
std3n62k3 stf3n62k3 stu3n62k3.pdf
STD3N62K3, STF3N62K3, STU3N62K3DatasheetN-channel 620 V, 2.2 typ., 2.7 A MDmesh K3 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packagesFeaturesVDS RDS(on)max. IDOrder code PackageSTD3N62K3 2.7 A DPAKSTF3N62K3 620 V 2.5 2.7 A TO-220FPSTU3N62K3 2.7 A IPAKD(2, TAB) 100% avalanche tested Extremely high dv/dt capability Very low intrinsic capacitanceG(1)
stb3n62k3 std3n62k3 stf3n62k3 stp3n62k3 stu3n62k3.pdf
STB3N62K3, STD3N62K3, STF3N62K3STP3N62K3, STU3N62K3N-channel 620 V, 2.2 , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFETD2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAKFeaturesRDS(on) 33Type VDSS ID PD21max1DPAKSTB3N62K3 620 V
std3n80k5 stf3n80k5 stp3n80k5 stu3n80k5.pdf
STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5N-channel 800 V, 2.8 typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD3N80K5 60 WDPAKSTF3N80K5 20 W3800 V 3.5 2.5 A21TABSTP3N80K560 WTO-220FPSTU3N80K5TAB TO-220 worldwide bes
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SIHB23N60E | STD60NF3LLT4
History: SIHB23N60E | STD60NF3LLT4
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918