STF8NM60ND - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STF8NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
STF8NM60ND Datasheet (PDF)
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V
stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V
stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V
Другие MOSFET... STF7N52DK3 , STF7N52K3 , STF7N95K3 , STF7NM60N , STF7NM80 , STF8N65M5 , STF8NK100Z , STF8NM50N , IRF540 , STF9NK60ZD , STF9NK90Z , STF9NM60N , STFI10NK60Z , STFI13NK60Z , STFI13NM60N , STFI20NK50Z , STFW12N120K5 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet