STFI20NK50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STFI20NK50Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: I2PAKFP TO281
Аналог (замена) для STFI20NK50Z
STFI20NK50Z Datasheet (PDF)
stfi20nk50z.pdf
STFI20NK50ZN-channel 500 V, 0.23 , 17 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeatures RDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTFI20NK50Z 500 V
stf20n65m5 stfi20n65m5.pdf
STF20N65M5, STFI20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTF20N65M5710 V 0.19 18 ASTFI20N65M53 Worldwide best RDS(on) * area 12 231 Higher VDSS rating and high dv/dt capabilityTO-220FPI2PAKFP Excellent switching
stfi20nm65n.pdf
STFI20NM65NN-channel 650 V, 15 A, 0.250 typ., MDmesh II Power MOSFET in a IPAKFP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDSS @Tjmax RDS(on) max. IDSTFI20NM65N 710 V 0.270 15 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance1232 ApplicationsI PAKFP (TO-281) Switching applicationsDescriptio
stf24n60m2 stfi24n60m2 stfw24n60m2.pdf
STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF24N60M2321 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A23TO-220FPSTFW24N60M2I2PAKFP(TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area
stfi260n6f6.pdf
STFI260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTFI260N6F6 60 V
stfi26nm60n.pdf
STFI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS max IDSTFI26NM60N 600 V
stfi24nm60n.pdf
STFI24NM60NN-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesVDSS RDS(on) Order code ID(@Tjmax) max.STFI24NM60N 650 V
stf28n60m2 stfi28n60m2.pdf
STF28N60M2, STFI28N60M2N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF28N60M2650 V 0.150 22 ASTFI28N60M23 Extremely low gate charge21 Excellent output capacitance (Coss) profile TO-220FP 123 100% avalanche tested2I PAKFP
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918