STFW3N150 - описание и поиск аналогов

 

STFW3N150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STFW3N150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для STFW3N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFW3N150 даташит

 ..1. Size:672K  st
stfw3n150 sth3n150-2 stp3n150 stw3n150.pdfpdf_icon

STFW3N150

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150 Datasheet N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features TAB VDS RDS(on) max. ID PTOT Order codes 2 3 1 3 STFW3N150 63 W 2 2 H PAK-2 1 STH3N150-2 TO-3PF 1500 V 9 2.5 A STP3N150 140 W TAB STW3N150 3 3 100% avalanche tested 2 2 1 1 TO-220

 ..2. Size:759K  st
stfw3n150 stp3n150 stw3n150.pdfpdf_icon

STFW3N150

STFW3N150 STP3N150, STW3N150 N-channel 1500 V, 6 , 2.5 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max. STFW3N150 1500 V

 7.1. Size:456K  st
stfw3n170 stw3n170.pdfpdf_icon

STFW3N150

STFW3N170, STW3N170 N-channel 1700 V, 8 typ., 2.3 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3FP and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features RDS(on) Order codes VDSS max ID STFW3N170 1 1 1 1700 V 12 2.3 A STW3N170 3 3 2 2 1 1 Intrinsic capacitances and Qg minimized TO-247 TO-3PF TO-3PF for higher creepage between leads High speed switching 10

 7.2. Size:696K  st
stfw3n170.pdfpdf_icon

STFW3N150

STFW3N170 N-channel 1700 V, 7 typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in a TO-3PF package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STFW3N170 1700 V 13 2.6 A 63 W Intrinsic capacitances and Q minimized g TO-3PF for higher creepage between leads High speed switching 3 2 100% avalanche tested 1 Applications TO-3PF

Другие MOSFET... STF9NK60ZD , STF9NK90Z , STF9NM60N , STFI10NK60Z , STFI13NK60Z , STFI13NM60N , STFI20NK50Z , STFW12N120K5 , IRF640N , STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 .

History: WMB120P06TS | AP65SL380AH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.