Справочник MOSFET. STI24NM65N

 

STI24NM65N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STI24NM65N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK

 Аналог (замена) для STI24NM65N

 

 

STI24NM65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  st
stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf

STI24NM65N STI24NM65N

STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65NSTB24NM65N - STP24NM65NN-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKI2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@TJmax)323121STB24NM65N 710 V

 6.1. Size:1094K  st
stf24nm60n sti24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf

STI24NM65N STI24NM65N

STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF24NM60N3 322 11STI24NM60NI2PAKTO-220FP650 V 0.19 17 ASTP24NM60NTABSTW24NM60N 100% avalanche tested332 L

 6.2. Size:216K  inchange semiconductor
sti24nm60n.pdf

STI24NM65N STI24NM65N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STI24NM60NFEATURESWith To-262(I2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:1556K  st
stb24n60m2 sti24n60m2 stp24n60m2 stw24n60m2.pdf

STI24NM65N STI24NM65N

STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231STB24N60M2321D2PAKSTI24N60M2I2PAK650 V 0.19 18 ASTP24N60M2TABSTW24N60M2 Extremely low gate charge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top