STL140N4LLF5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL140N4LLF5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL140N4LLF5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL140N4LLF5 даташит

 ..1. Size:239K  st
 stl140n4llf5.pdf pdf_icon

STL140N4LLF5

STL140N4LLF5 N-channel 40 V, 0.00275 , 32 A, PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL140N4LLF5 40 V 0.00275 32 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb. RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power loss

 7.1. Size:870K  st
 stl140n6f7.pdf pdf_icon

STL140N4LLF5

STL140N6F7 Datasheet N-channel 60 V, 2.4 m typ., 140 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STL140N6F7 60 V 2.8 m 140 A 125 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Logic level VGS(th) D(5, 6, 7, 8) 8 7

Другие IGBT... STI70N10F4, STI8N65M5, STL100N1VH5, STL100N6LF6, STL10N3LLH5, STL11N3LLH6, STL12N65M5, STL13NM60N, IRFP450, STL150N3LLH5, STL150N3LLH6, STL15DN4F5, STL15N3LLH5, STL160N3LLH6, STL16N1VH5, STL16N65M5, STL17N3LLH6