STL15N3LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL15N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3

Аналог (замена) для STL15N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL15N3LLH5 даташит

 ..1. Size:849K  st
 stl15n3llh5.pdf pdf_icon

STL15N3LLH5

STL15N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0045 , 15 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL15N3LLH5 30 V

 8.1. Size:1411K  st
 stl15n65m5.pdf pdf_icon

STL15N3LLH5

 9.1. Size:775K  st
 stl15dn4f5.pdf pdf_icon

STL15N3LLH5

STL15DN4F5 Dual N-channel 40 V, 8 m , 15 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max. STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge PowerFLAT (5x6) Low gate drive power losses Double

 9.2. Size:522K  st
 stl150n3llh5.pdf pdf_icon

STL15N3LLH5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL10N3LLH5, STL11N3LLH6, STL12N65M5, STL13NM60N, STL140N4LLF5, STL150N3LLH5, STL150N3LLH6, STL15DN4F5, 4N60, STL160N3LLH6, STL16N1VH5, STL16N65M5, STL17N3LLH6, STL18N55M5, STL18NM60N, STL21N65M5, STL23N85K5