STL70N2LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL70N2LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL70N2LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL70N2LLH5 даташит

 ..1. Size:544K  st
 stl70n2llh5.pdf pdf_icon

STL70N2LLH5

STL70N2LLH5 N-channel 30 V, 0.0059 , 18 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID 8 max 5 STL70N2LLH5 30 V

 8.1. Size:264K  st
 stl70n4llf5.pdf pdf_icon

STL70N2LLH5

STL70N4LLF5 N-channel 40 V, 0.0055 , 18 A, PowerFLAT (6x5) STripFET V Power MOSFET Preliminary Data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL70N4LLF5 40 V 0.0065 18 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 6x5 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses A

 8.2. Size:906K  st
 stl70n10f3.pdf pdf_icon

STL70N2LLH5

STL70N10F3 N-channel 100 V, 0.0078 , 16 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet production data Features RDS(on) max Order code VDSS @VGS=10V ID PTOT STL70N10F3 100 V 0.0084 16 A 136 W 1 Improved die-to-footprint ratio 2 3 4 Very low thermal resistance PowerFLAT 5x6 Low on-resistance Applications Switching applications

Другие IGBT... STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, IRFZ46N, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6, STL80N4LLF3, STL80N75F6, STL85N6F3