Справочник MOSFET. STL70N2LLH5

 

STL70N2LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL70N2LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL70N2LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  st
stl70n2llh5.pdfpdf_icon

STL70N2LLH5

STL70N2LLH5N-channel 30 V, 0.0059 , 18 A PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS ID8max5STL70N2LLH5 30 V

 8.1. Size:264K  st
stl70n4llf5.pdfpdf_icon

STL70N2LLH5

STL70N4LLF5N-channel 40 V, 0.0055 , 18 A, PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL70N4LLF5 40 V 0.0065 18 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 6x5 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesA

 8.2. Size:906K  st
stl70n10f3.pdfpdf_icon

STL70N2LLH5

STL70N10F3N-channel 100 V, 0.0078 , 16 A STripFET III Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) max Order code VDSS @VGS=10V ID PTOTSTL70N10F3 100 V 0.0084 16 A 136 W1 Improved die-to-footprint ratio234 Very low thermal resistancePowerFLAT 5x6 Low on-resistanceApplications Switching applications

Другие MOSFET... STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , STL52N25M5 , STL56N3LLH5 , STL60N32N3LL , STL60N3LLH5 , STL65DN3LLH5 , STL65N3LLH5 , 2SK3918 , STL70N4LLF5 , STL75N3LLZH5 , STL75N8LF6 , STL7NM60N , STL80N3LLH6 , STL80N4LLF3 , STL80N75F6 , STL85N6F3 .

History: SLU2N65UZ | UPA1770 | IXTH10N60 | TSM4946DCS | RU1HL8L | KRF7703 | LNE08R055W3

 

 
Back to Top

 


 
.