STL80N4LLF3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL80N4LLF3
Маркировка: L80N4LLF3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1(min) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21.5 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 574 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT6X5
Аналог (замена) для STL80N4LLF3
STL80N4LLF3 Datasheet (PDF)
stl80n4llf3.pdf
STL80N4LLF3N-channel 40V - 0.0042 - 80A - PowerFLAT (6x5)STripFET Power MOSFET for DC-DC conversionGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTL80N4LLF3 40V
stl80n75f6.pdf
STL80N75F6N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET F6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL80N75F6 75 V 5.5 m 18 A Very low on-resistance123 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6 Low gate drive power lossApplications Switching applicationsFi
stl80n3llh6.pdf
STL80N3LLH6N-channel 30 V, 0.0046 , 21 A PowerFLAT(5x6)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL80N3LLH6 30 V 0.0052 21 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive powe
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
