STL80N4LLF3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL80N4LLF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL80N4LLF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL80N4LLF3 даташит

 ..1. Size:349K  st
 stl80n4llf3.pdf pdf_icon

STL80N4LLF3

STL80N4LLF3 N-channel 40V - 0.0042 - 80A - PowerFLAT (6x5) STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STL80N4LLF3 40V

 8.1. Size:973K  st
 stl80n75f6.pdf pdf_icon

STL80N4LLF3

STL80N75F6 N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET F6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL80N75F6 75 V 5.5 m 18 A Very low on-resistance 1 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications Switching applications Fi

 8.2. Size:544K  st
 stl80n3llh6.pdf pdf_icon

STL80N4LLF3

STL80N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0046 , 21 A PowerFLAT (5x6) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL80N3LLH6 30 V 0.0052 21 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive powe

Другие IGBT... STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6, K2611, STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10