STL85N6F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL85N6F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL85N6F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL85N6F3 даташит

 ..1. Size:288K  st
 stl85n6f3.pdf pdf_icon

STL85N6F3

STL85N6F3 N-channel 60 V, 0.005 , 19 A PowerFLAT (6x5) STripFET Power MOSFET Preliminary Data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL85N6F3 60 V

Другие IGBT... STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, STL80N3LLH6, STL80N4LLF3, STL80N75F6, RU7088R, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10, STN1NK60Z, STN1NK80Z