STN3NF06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STN3NF06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для STN3NF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN3NF06 даташит

 ..1. Size:250K  st
 stn3nf06.pdf pdf_icon

STN3NF06

STN3NF06 N-channel 60V - 0.07 -4A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 2 STN3NF06 60V

 0.1. Size:250K  st
 stn3nf06l.pdf pdf_icon

STN3NF06

STN3NF06L N-channel 60 V, 0.07 , 4 A, SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 2 STN3NF06L 60 V

 0.2. Size:930K  cn vbsemi
 stn3nf06l.pdf pdf_icon

STN3NF06

STN3NF06L www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.029 at VGS = 10 V 7.0 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.033 at VGS = 4.5 V 5.6 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET

 9.1. Size:481K  st
 stn3n45k3 stq3n45k3-ap stu3n45k3.pdf pdf_icon

STN3NF06

STN3N45K3 STQ3N45K3-AP, STU3N45K3 N-channel 450 V, 3.2 , 1.8 A, TO-92, SOT-223, IPAK SuperMESH3 Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 STN3N45K3 450 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STN1HNK60, STN1N20, STN1NF10, STN1NK60Z, STN1NK80Z, STN2NF10, STN3N40K3, STN3N45K3, 20N60, STN3NF06L, STN3PF06, STN4NF03L, STN4NF06L, STN4NF20L, STP100NF04, STP10N62K3, STP10NK60Z