STP10NM65N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP10NM65N
Маркировка: 10NM65N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 53 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP10NM65N
STP10NM65N Datasheet (PDF)
std10nm65n stf10nm65n stp10nm65n stu10nm65n.pdf
STD10NM65N - STF10NM65NSTP10NM65N - STU10NM65NN-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2312STD10NM65N 710 V
stp10nm65n.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP10NM65NFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf
STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdf
STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V
std10nm60n stf10nm60n sti10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf
STD10NM60N, STF10NM60N,STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.313STD10NM60N 70 W 3221DPAK 1STF10NM60N 25 WIPAKTO-220FPSTI10NM60N 650 V
std10nm60nd stf10nm60nd stp10nm60nd.pdf
STD10NM60ND, STF10NM60ND, STP10NM60ND N-channel 600 V, 0.57 typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. jmax.STD10NM60ND 70 W STF10NM60ND 650 V 0.60 8 A 25 W STP10NM60ND 70 W Fast-recovery body diode Low gate charge and input capacitance
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: OSG55R380PF
