STP10NM65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP10NM65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP10NM65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NM65N даташит

 ..1. Size:525K  st
 std10nm65n stf10nm65n stp10nm65n stu10nm65n.pdf pdf_icon

STP10NM65N

STD10NM65N - STF10NM65N STP10NM65N - STU10NM65N N-channel 650 V, 0.43 , 9 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 3 1 2 STD10NM65N 710 V

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
 stp10nm65n.pdf pdf_icon

STP10NM65N

 6.1. Size:901K  st
 std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf pdf_icon

STP10NM65N

STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID Pw @TJmax max. 3 3 STD10NM60N 70 W 2 2 1 1 STF10NM60N 25 W TO-220 TO-220FP 650 V

 6.2. Size:997K  st
 std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdf pdf_icon

STP10NM65N

STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID Pw @TJmax max. 3 3 STD10NM60N 70 W 2 2 1 1 STF10NM60N 25 W TO-220 TO-220FP 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP10NK60Z, STP10NK70Z, STP10NK70ZFP, STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STP10NM50N, STP10NM60N, STP10NM60ND, AON6414A, STP11N52K3, STP11NK40Z, STP11NK40ZFP, STP11NK50Z, STP11NK50ZFP, STP11NM50N, STP11NM60, STP11NM60FD