STP12N120K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP12N120K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.69 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP12N120K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP12N120K5 даташит

 ..1. Size:806K  st
sth12n120k5-2 stp12n120k5 .pdfpdf_icon

STP12N120K5

STH12N120K5-2, STP12N120K5, STW12N120K5, STWA12N120K5 N-channel 1200 V, 0.62 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFETs in H PAK-2, TO-220, TO-247 and TO-247 long leads Datasheet - production data Features Order codes V R max. I P DS DS(on) D TOT STH12N120K5-2 STP12N120K5 2PAK-2 H TO-220 1200 V 0.69 12 A 250 W STW12N120K5 STWA12N120K5 Worldwide best FOM (figure of m

 ..2. Size:821K  st
stb12n120k5 stfw12n120k5 stp12n120k5 stw12n120k5.pdfpdf_icon

STP12N120K5

STB12N120K5, STFW12N120K5 STP12N120K5, STW12N120K5 N-channel 1200 V, 0.58 , 12 A D PAK, TO-3PF, TO-220, TO-247 Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET Preliminary data Features TAB 1 1 1 RDS(on) Order codes VDSS ID PW 2 max. 3 3 1 2 STB12N120K5 250 W 1 D PAK TO-3PF STFW12N120K5 63 W 1200 V

 ..3. Size:590K  st
stw12n120k5 stwa12n120k5 sth12n120k5 stp12n120k5.pdfpdf_icon

STP12N120K5

STH12N120K5-2, STP12N120K5, STW12N120K5, STWA12N120K5 N-channel 1200 V, 0.62 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFETs in H PAK-2, TO-220, TO-247 and TO-247 long leads Datasheet - production data Features Order codes V R max. I P DS DS(on) D TOT STH12N120K5-2 STP12N120K5 2PAK-2 H TO-220 1200 V 0.69 12 A 250 W STW12N120K5 STWA12N120K5 Worldwide best FOM (figure of m

 8.1. Size:391K  st
stp12n60m2.pdfpdf_icon

STP12N120K5

STP12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP12N60M2 600 V 0.450 9 A 85 W Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching applications F

Другие IGBT... STP11NM50N, STP11NM60, STP11NM60FD, STP11NM60ND, STP11NM80, STP120N4F6, STP120NF04, STP120NF10, IRF4905, STP12N65M5, STP12NK30Z, STP12NK60Z, STP12NK80Z, STP12NM50, STP12PF06, STP130NH02L, STP13N95K3