STP12NK60Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP12NK60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP12NK60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP12NK60Z даташит

 ..1. Size:835K  st
stp12nk60z stf12nk60z stw12nk60z.pdfpdf_icon

STP12NK60Z

 7.1. Size:526K  st
stb12nk80z stp12nk80z stw12nk80z.pdfpdf_icon

STP12NK60Z

STB12NK80Z STP12NK80Z - STW12NK80Z N-channel 800V - 0.65 - 10.5A - TO-220 - D2PAK - TO-247 Zener - Protected SuperMESH Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID PW (@Tjmax) STB12NK80Z 800V

 7.2. Size:286K  st
stp12nk30z.pdfpdf_icon

STP12NK60Z

STP12NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.36 - 9A- TO-220 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID (1) Pw (1) STP12NK30Z 300 V

 8.1. Size:391K  st
stp12n60m2.pdfpdf_icon

STP12NK60Z

STP12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP12N60M2 600 V 0.450 9 A 85 W Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching applications F

Другие IGBT... STP11NM60ND, STP11NM80, STP120N4F6, STP120NF04, STP120NF10, STP12N120K5, STP12N65M5, STP12NK30Z, K3569, STP12NK80Z, STP12NM50, STP12PF06, STP130NH02L, STP13N95K3, STP13NK60Z, STP13NK60ZFP, STP13NM60N