STP150N3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP150N3LLH6
Маркировка: 150N3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP150N3LLH6
STP150N3LLH6 Datasheet (PDF)
std150n3llh6 stp150n3llh6 stu150n3llh6.pdf
STD150N3LLH6STP150N3LLH6, STU150N3LLH6N-channel 30 V, 0.0024 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD150N3LLH6 30 V 0.0028 80 A 332STP150N3LLH6 30 V 0.0033 80 A11STu150N3LLH6 30 V 0.0033 80 AIPAKDPAK RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)32 Hi
sti150n10f7 stp150n10f7.pdf
STI150N10F7, STP150N10F7N-channel 100 V, 0.0036 typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFETs in I2PAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOTSTI150N10F7100 V 0.0042 110 A 250 WSTP150N10F7TABTAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity33
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdf
STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V
stp150nf04.pdf
STP150NF04N-channel 40 V, 0.005 typ., 80 A STripFETII Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDTABmaxSTP150NF04 40 V
stb150nf04 stp150nf04.pdf
STB150NF04STP150NF04N-channel 40 V, 0.005 , 80 A, TO-220, D2PAKSTripFETII Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB150NF04 40 V
stp150n10f7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STP150N10F7FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
