STP180NS04ZC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP180NS04ZC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 33 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP180NS04ZC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP180NS04ZC даташит

 ..1. Size:791K  st
 stp180ns04zc.pdf pdf_icon

STP180NS04ZC

STP180NS04ZC N-channel 40 V clamped 3.6 m typ., 120 A fully protected SAFeFET Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features TAB Order code VDS RDS(on) max ID STP180NS04ZC 40 V clamped 4.2 m 120 A Low capacitance and gate charge 100% avalanche tested 3 2 175 C maximum junction temperature 1 TO-220 Applications Switching and line

 7.1. Size:669K  1
 stp180n4f6.pdf pdf_icon

STP180NS04ZC

STP180N4F6 N-channel 40 V, 2.1 m typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP180N4F6 40 V 2.7 m 120 A 190 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Power

 7.2. Size:712K  st
 stp180n10f3.pdf pdf_icon

STP180NS04ZC

STP180N10F3 N-channel 100 V, 4.5 m , 120 A STripFET III Power MOSFET TO-220 Features RDS(on) TAB Order codes VDSS ID max. STP180N10F3 100 V 5.1 m 120 A Ultra low on-resistance 3 2 100% avalanche tested 1 TO-220 Applications High current switching applications Description This device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagram Po

 7.3. Size:448K  st
 stb180n55f3 stp180n55f3.pdf pdf_icon

STP180NS04ZC

STB180N55F3 STP180N55F3 N-channel 55V - 3.2m - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STB180N55F3 55V 3.5m 120A(1) 330W STP180N55F3 55V 3.8m 120A(1) 330W 1. Value limited by wire bonding 3 3 1 2 1 Ultra low on-resistance 100% avalanche tested TO-220 D2PAK Description This n-channel enhancement mode Power MOSFET is the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP16NF25, STP16NK60Z, STP17N62K3, STP17NF25, STP17NK40Z, STP17NK40ZFP, STP180N10F3, STP180N55F3, 2N60, STP185N55F3, STP18N55M5, STP18NM60N, STP18NM80, STP190N55LF3, STP19NF20, STP19NM50N, STP200N4F3