STP190N55LF3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP190N55LF3

Маркировка: 190N55LF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP190N55LF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP190N55LF3 даташит

 ..1. Size:645K  st
stp190n55lf3.pdfpdf_icon

STP190N55LF3

STP190N55LF3 N-channel 55 V, 2.9 m , 120 A, TO-220 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PD max STP190N55LF3 55 V

 7.1. Size:508K  st
stp190nf04 stb190nf04 stb190nf04-1.pdfpdf_icon

STP190N55LF3

STP190NF04 STB190NF04 - STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP190NF04 40V

 7.2. Size:460K  st
stb190nf04-1 stb190nf04t4 stp190nf04.pdfpdf_icon

STP190N55LF3

STP190NF04 STB190NF04 - STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP190NF04 40V

 9.1. Size:582K  st
stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdfpdf_icon

STP190N55LF3

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V

Другие IGBT... STP17NK40ZFP, STP180N10F3, STP180N55F3, STP180NS04ZC, STP185N55F3, STP18N55M5, STP18NM60N, STP18NM80, IRFB31N20D, STP19NF20, STP19NM50N, STP200N4F3, STP200N6F3, STP200NF03, STP200NF04, STP200NF04L, STP20N95K5