STP22NS25Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP22NS25Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP22NS25Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP22NS25Z даташит

 ..1. Size:449K  st
 stp22ns25z.pdf pdf_icon

STP22NS25Z

STP22NS25Z STB22NS25Z N-CHANNEL 250V - 0.13 - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP22NS25Z 250 V

 ..2. Size:316K  st
 stb22ns25z stp22ns25z.pdf pdf_icon

STP22NS25Z

STB22NS25Z - STP22NS25Z N-channel 250V - 0.13 - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB22NS25Z 250V

 8.1. Size:260K  st
 stp22ne10l.pdf pdf_icon

STP22NS25Z

STP22NE10L N - CHANNEL 100V - 0.07 - 22A TO-220 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP22NE10L 100 V

 8.2. Size:75K  st
 stp22ne03l.pdf pdf_icon

STP22NS25Z

STP22NE03L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE " SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP22NE03L 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP20NM60FP, STP20NM65N, STP210N75F6, STP21N65M5, STP21N90K5, STP21NM60ND, STP22NF03L, STP22NM60N, 20N60, STP23NM50N, STP23NM60ND, STP24NF10, STP24NM60N, STP24NM65N, STP25NM60ND, STP26NM60N, STP27N3LH5