STP24NM65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP24NM65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP24NM65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP24NM65N даташит

 ..1. Size:556K  st
 stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf pdf_icon

STP24NM65N

 6.1. Size:890K  st
 stf24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf pdf_icon

STP24NM65N

STF24NM60N STP24NM60N, STW24NM60N N-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFET TO-220FP, TO-220 and TO-247 Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. STF24NM60N 650 V

 6.2. Size:1094K  st
 stf24nm60n sti24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf pdf_icon

STP24NM65N

STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60N N-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, I PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data TAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. ID STF24NM60N 3 3 2 2 1 1 STI24NM60N I2PAK TO-220FP 650 V 0.19 17 A STP24NM60N TAB STW24NM60N 100% avalanche tested 3 3 2 L

 8.1. Size:419K  st
 stb24nf10 stp24nf10.pdf pdf_icon

STP24NM65N

STB24NF10 STP24NF10 N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - D PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB24NF10 100V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP21NM60ND, STP22NF03L, STP22NM60N, STP22NS25Z, STP23NM50N, STP23NM60ND, STP24NF10, STP24NM60N, IRFZ44, STP25NM60ND, STP26NM60N, STP27N3LH5, STP28NM50N, STP2N62K3, STP2NK100Z, STP2NK60Z, STP2NK90Z